Memoria

Tipo: DRAM módulo de memoria

Tecnología: DDR4 SDRAM

Factor de forma: SO-DIMM de 260 contactos

Velocidad: 3200 MHz (PC4-25600)

Tiempos de latencia: CL22

Comprobación integridad datos: No ECC

Características: Fila única, sin búfer

Organización de los chips: X8

Tensión: 1.2 V

Garantía del fabricante

Servicio y mantenimiento: Garantía limitada de por vida (Rusia - 10 años)

Información sobre compatibilidad

Diseñado para: Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5